Laser Doped Selective Emitter
Um die Energieumwandlungseffizienz von Silizium-Solarzellen mit bor-dotiertem oder phosphor-dotiertem Emitter weiter zu erhöhen, muss die Ladungsträgerrekombination im Emitterbereich verringert werden.
Hierfür ist nicht nur die Ladungsträgerrekombination im photoaktiven (nicht metallisierten) Bereich relevant, sondern auch an den Metallkontakten.
Die Anforderungen an das Dotierungsprofil zur Erzielung einer niedrigen Ladungsträgerrekombination sind innerhalb dieser beiden Bereiche sehr unterschiedlich.
Lösung zur Bildung unterschiedlich dotierter Emitter-Gebiete:
Verwendung des sogenannten selektiven Emitteransatzes: eine höhere Dotierung unter den Metallkontakten wird daher durch Eintreiben zusätzlicher Bor- oder Phosphoratome aus der bei der Bor-oder Phosphor-Diffusion entstehenden Borsilikatglas (BSG) – oder Phosphorsilikatglas (PSG)-Schicht mittels Laserdiffusion erreicht.
Vorteile des LDSE Prozesses
Im Vergleich zu selektiven Ätzprozessen bietet der Laser die Möglichkeit der freien Programmierbarkeit der Dotiergeometrie. Ferner sinkt mittels Laserbearbeitung, die Cost of Ownership, da auf aufwendige und teure nasschemische Prozesse verzichtet werden kann.
